EPC2039
TRANS GAN 80V BUMPED DIE
מספר חלק
EPC2039
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
GaNFET (Gallium Nitride)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
חבילת מכשירי ספק
Die
פיזור כוח (מקסימום)
-
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
2.4nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
210pF @ 40V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
5V
Vgs (מקסימום)
+6V, -4V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2534 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2039
EPC2039 רכיבים אלקטרוניים
EPC2039 מכירות
ספק EPC2039
EPC2039 מפיץ
EPC2039 טבלת נתונים
EPC2039 תמונות
מחיר EPC2039
EPC2039 הצעה
EPC2039 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2039
EPC2039 רכישה
שבב EPC2039